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J-GLOBAL ID：200903069987023940

GaN系化合物半導体発光素子

Inventor：
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998353120
Publication number (International publication number)：2000183399
Application date： Dec. 11, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 バンドギャップエネルギの低い良質の活性層を備え、発光効率の高い安定な発光を得ることのできるGaN系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 活性層15としてIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>N<SB>1-y-z</SB>As<SB>y</SB>P<SB>z</SB>[但し、0≦x,y,z<1]からなる半導体層を形成し、この活性層を挟むクラッド層14,16としてAl<SB>a</SB>In<SB>b</SB>Ga<SB>1-a-b</SB>N<SB>1-c-d</SB>As<SB>c</SB>P<SB>d</SB>[但し、0≦a,b,c,d≦1]からなる半導体層を形成する。また上記各半導体層の組成を変えることでその発光波長を紫外領域から赤外領域まで広範囲に設定可能なGaN系化合物半導体発光素子を実現する。
Claim (excerpt)：
GaN系化合物半導体からなる活性層とクラッド層とを備えた発光素子であって、前記活性層としてIn<SB>1-x</SB>Ga<SB>x</SB>N<SB>1-y-z</SB>As<SB>y</SB>P<SB>z</SB>[但し、0≦x,y,z<1]からなる半導体層を形成したことを特徴とするGaN系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
F-Term (25)：
5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA20 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA24 ,  5F073EA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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