絶縁ゲートトランジスタの駆動回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997203438
Publication number (International publication number)：1999055936
Application date： Jul. 29, 1997
Publication date： Feb. 26, 1999
Summary：

【要約】【課題】 IGBTのターンオン時及びターンオフ時の跳ね上がり電圧を抑制するためにツェナーダイオードを用いてコレクタ電流Icの時間変化率を抑制しようとしても、非線形性や温度特性等によるツェナー電圧の変化により、十分に抑制することができず、跳ね上がり電圧の抑制が不十分であった。【解決手段】電流変化率検出手段26a、26bと、基準電圧検出手段27a、27bと、検出電圧と基準電圧を比較する比較手段28と、比較結果に基づいてゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段25、29とを備える。【効果】フィードバック制御により、コレクタ電流の時間変化率を一定範囲内に設定することができるので、跳ね上がり電圧を抑制することができる。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲートトランジスタのゲート端子に接続され、ゲートオン指令またはゲートオフ指令に応じて前記絶縁ゲートトランジスタをオン/オフするためのゲート駆動手段と、ゲートオン指令またはゲートオフ指令に基づいて、前記ゲート駆動手段の駆動制御を行う制御手段と、前記絶縁ゲートトランジスタのコレクタ電流の時間変化率を電圧として検出する電流変化率検出手段と、前記電流変化率検出手段が検出する検出電圧の比較基準としての電圧を検出する基準電圧検出手段と、前記電流検出手段の検出電圧と前記基準電圧とを比較する比較手段と、前記比較手段の比較結果に基づいて、前記コレクタ電流の時間変化率が一定範囲内となるように、前記絶縁ゲートトランジスタのゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段と、を備えた絶縁ゲートトランジスタの駆動回路。

IPC (3)：

H02M 1/08 , H03K 17/16 , H03K 17/56

FI (3)：

H02M 1/08 A , H03K 17/16 F , H03K 17/56 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

IGBTのサージ電圧抑制回路と過電流遮断回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-240771 Applicant：富士電機株式会社
絶縁ゲートトランジスタ駆動回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217191 Applicant：三菱電機株式会社
特開平1-268424

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