結晶化方法及び液晶表示装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996189554
Publication number (International publication number)：1998041231
Application date： Jul. 18, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】プレ結晶化を行ってもレーザ照射エネルギーを変えることなく, 最適な結晶化度を得る。【解決手段】 1)絶縁性の基板上に非単結晶シリコン膜を成膜する工程と,該非単結晶シリコン膜上の一部の領域に上部膜を形成する工程と,該上部膜をマスクにして露出している領域の該非単結晶シリコン膜に不純物を導入する工程と,該基板を熱処理して,前記不純物を導入した部分の非単結晶シリコン膜を結晶化する工程と,該上部膜を通して該基板上全面に同一強度のエネルギービームを照射して該非単結晶シリコン膜の結晶化膜を形成する工程とを有する2)上記方法により作製された結晶化シリコン膜を用い,該結晶化シリコン膜は駆動回路用薄膜トランジスタと画素書き込み用薄膜トランジスタとで異なる結晶化度を有する液晶表示装置。

Claim (excerpt)：

絶縁性の基板上に非単結晶(非晶質または多結晶)シリコン膜を成膜する工程と,該非単結晶シリコン膜上の一部の領域に上部膜を形成する工程と,該上部膜をマスクにして露出している領域の該非単結晶シリコン膜に不純物を導入する工程と,該基板を熱処理して,前記不純物を導入した部分の非単結晶シリコン膜を結晶化する工程と,該上部膜を通して該基板上全面に同一強度のエネルギービームを照射して該非単結晶シリコン膜の結晶化膜を形成する工程とを有することを特徴とする結晶化方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-346714 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭57-054334
特開昭56-069837

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