Pat
J-GLOBAL ID:200903070271006830
溶融体からの窒化アルミニウムのバルク単結晶の成長
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
社本 一夫 (外5名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001512954
Publication number (International publication number):2003505331
Application date: Jul. 22, 1999
Publication date: Feb. 12, 2003
Summary:
【要約】窒化アルミニウム(AlN)の大直径単結晶が、高温で成長させられる。周囲液体アルミニウムの温度よりも低い温度に維持される種結晶(130)が、溶融体から引っ張られ、種結晶(130)上に堆積させられる。本方法を実施するための装置も、開示される。
Claim (excerpt):
下記を含んでなる、AlNのバルク単結晶を製造する方法: 窒素を液体Alの溶融体と接触させて溶融体中にAlNを形成し;一方 単結晶性形態にそのように形成されたAlNを溶融体と物理的に接触している種結晶上に堆積させる。
IPC (2):
FI (2):
C30B 29/38 C
, C30B 11/12
F-Term (15):
4G077AA02
, 4G077AB09
, 4G077BE13
, 4G077CC06
, 4G077CF05
, 4G077EA04
, 4G077EG02
, 4G077EG12
, 4G077EG20
, 4G077EG22
, 4G077EH09
, 4G077PB02
, 4G077PB07
, 4G077PB09
, 4G077PB13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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窒化物結晶の製造方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-164811
Applicant:日立電線株式会社
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窒化アルミニウム単結晶の合成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-101654
Applicant:米屋勝利
-
GaNP単結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-345632
Applicant:古河電気工業株式会社
-
窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-221628
Applicant:日立電線株式会社
-
特開昭54-119400
-
特開昭60-145958
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