半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995302440
Publication number (International publication number)：1997148534
Application date： Nov. 21, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体記憶装置及びその製造方法に関し、高集積度DRAMの製造工程を簡素化し、且つ、1セル当たりの占有面積が小さい場合にも大きな蓄積容量を形成する。【解決手段】凸状構造体を形成した半導体基板1の全面にキャパシタの下部電極8となる導電層を堆積したのち、異方性エッチングすることにより凸状構造体の側壁部分に下部電極8を形成し、次いで、誘電体膜9、及び、上部電極10を順次堆積してキャパシタを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けた導電層の側壁部分に、下部電極、誘電体膜、及び、上部電極からなるキャパシタを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 681 B , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 301 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

記憶セルの埋込ビット線アレイを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-129154 Applicant：ミクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド
半導体記憶装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-234588 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-191109 Applicant：株式会社東芝

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