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J-GLOBAL ID：200903070451912058

半導体発光素子

Inventor：
五所野尾 浩一

About 五所野尾 浩一


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004308075
Publication number (International publication number)：2006120913
Application date： Oct. 22, 2004
Publication date： May. 11, 2006
Summary：
【課題】 高光度の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型コンタクト層上にITOから成る透明導電膜10を形成し、その上に絶縁性保護膜20を形成し、その上に、銀(Ag)、アルミニウム(Al)から成る、光をサファイア基板側へ反射する反射膜30を形成し、その上に、金(Au)から成る金属層40を形成する。透明導電膜10と反射膜30との間には、誘電体から成る多重反射膜20が介在しているので、多重反射膜20による反射、多重反射膜20を透過した光は反射膜30により反射されるので、透明導電膜10と多重反射膜20の界面位置における多重反射を考慮した反射率が向上する。この結果、外部量子効率の高い発光素子を得ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
透光性基板と、この透光性基板の上に積層された半導体層とを有し、n電極とp電極とが前記透光性基板に対して前記半導体層側に形成され、発光した光を前記透光性基板側から放射するフリップチップ型の半導体発光素子において、 前記半導体層の最上層であるコンタクト層と、 該コンタクト層上に形成された前記光に対して透明な透明導電膜と、 該透明導電膜上に形成された、屈折率の異なる誘電体から成る層が周期的に積層された多重反射膜と、 前記多重反射膜上に形成された、前記光に対して高反射率を有する金属から成る反射膜と、 前記透明導電膜の一部と接合するように形成された電極層と を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 E
F-Term (10)：
5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041EE23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
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