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J-GLOBAL ID：200903087806709488

III族窒化物系化合物半導体発光素子

Inventor：
上村 俊也

About 上村 俊也


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999056357
Publication number (International publication number)：2000036619
Application date： Mar. 04, 1999
Publication date： Feb. 02, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高光度、低駆動電圧の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、p型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀(Ag)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、または、これらの合金より形成する。これにより、高反射率、低接触抵抗の正電極が得られる。p型半導体層と厚膜正電極との間に、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、または、これらの合金より成る第1薄膜金属層を備えれば、上記のコンタクト層に厚膜正電極をより強固に接続できる。第1薄膜金属層の膜厚は、2Å以上、200Å以下であれば効果を発揮し、より望ましくは、5Å以上、50Å以下がよい。金(Au)より成る第2薄膜金属層を更に備えれば、厚膜正電極を更により強固に接続できる。
Claim (excerpt)：
基板上に III族窒化物系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、p型半導体層に接続され、光を基板側へ反射する正電極を銀(Ag)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、または、これらの金属を少なくとも1種類以上含んだ合金より形成したことを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (17)
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