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J-GLOBAL ID：200903070512222408

測定チップ

Inventor：
久保 隆

About 久保 隆

, 
納谷 昌之

About 納谷 昌之


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001092666
Publication number (International publication number)：2002296172
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 表面プラズモン共鳴測定装置等の、全反射減衰を利用した測定装置に用いられる測定チップを、屈折率マッチング液を使用する必要がなく、そして測定用光学系に対して簡単に交換可能なものとする。【解決手段】 誘電体ブロック11と、その一面に形成されて試料15に接触させられる金属膜12と、光ビーム30を発生させる光源31と、前記光ビーム30を誘電体ブロック11に対して、該誘電体ブロック11と金属膜12との界面11aで全反射条件となり、かつ、該界面11aで表面プラズモン共鳴条件を含む種々の入射角成分を含むように収束光状態で入射させる光学系32と、前記界面11aで全反射した光ビーム30の強度を測定する光検出手段40とを備えてなる表面プラズモン共鳴測定装置等に用いられる測定チップ10において、誘電体ブロック11を、光ビーム30の入射面11b、出射面11cおよび金属膜12が形成される一面の全てを含む1つのブロックとして形成し、この誘電体ブロック11に金属膜12を一体化させる。
Claim (excerpt)：
誘電体ブロックと、この誘電体ブロックの一面に形成されて試料に接触させられる薄膜層と、光ビームを発生させる光源と、前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記薄膜層との界面で全反射条件となり、かつ、種々の入射角成分を含むようにして入射させる光学系と、前記界面で全反射した光ビームの強度を測定して全反射減衰の状態を検出する光検出手段とを備えてなる、全反射減衰を利用した測定装置に用いられる測定チップであって、前記誘電体ブロックが、前記光ビームの入射面、出射面および前記薄膜層が形成される一面の全てを含む1つのブロックとして形成され、この誘電体ブロックに前記薄膜層が一体化されてなることを特徴とする測定チップ。
IPC (4)：
G01N 21/03 ,  G01N 21/27 ,  G01N 35/04 ,  G01N 35/10
FI (4)：
G01N 21/03 Z ,  G01N 21/27 C ,  G01N 35/04 A ,  G01N 35/06 A
F-Term (28)：
2G057AB04 ,  2G057AB09 ,  2G057BA01 ,  2G057BB10 ,  2G057BC07 ,  2G057BD10 ,  2G057DA03 ,  2G057DB01 ,  2G057HA04 ,  2G058AA01 ,  2G058CA04 ,  2G058CB04 ,  2G058EA02 ,  2G058EA11 ,  2G058ED03 ,  2G058GA02 ,  2G059AA01 ,  2G059DD12 ,  2G059DD13 ,  2G059EE02 ,  2G059FF03 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059GG04 ,  2G059JJ11 ,  2G059KK04 ,  2G059MM01 ,  2G059PP01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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