半導体装置および半導体発光デバイスの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999301368
Publication number (International publication number)：2000133841
Application date： Oct. 22, 1999
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】単結晶LED材料にて構成されるLEDは単結晶基板を必要とするため大面積化が難しい。【解決手段】多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板22上に多結晶III族窒化物層28を成膜し、半導体層状構造20を構成する。基板22は石英やシリカガラス、またIII族窒化物層28はGaNやそれとAlN、InNとの合金を用いて構成することができる。基板22とIII族窒化物層28との間には、湿層24、バッファ層26を設けることができる。これにより、多結晶である基板22に対するガリウムの膠着係数が低いことを補償することができ、III族窒化物層28が基板22に良好に被着される。湿層24は例えばAlNまたはGaN等の適切なIII族窒化物のサブ単層であり、その上に形成されるIII族窒化物半導体の晶子の核形成の作用を有する。

Claim (excerpt)：

多結晶すなわち実質的に単結晶でないかアモルファスである基板と、前記基板上に形成された少なくとも一層の多結晶III族窒化物層と、前記基板と、前記少なくとも一層の多結晶III族窒化物層との間に形成されたIII族窒化物湿層と、を有することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-036924 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-029434 Applicant：松下電器産業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

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