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J-GLOBAL ID：200902101947108193   Reference number：98A0419905

Growth of GaN on Indium Tin Oxide/Glass Substrates by RF Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Method.

RFプラズマ促進化学蒸着法による酸化インジウムすず/ガラス基板上のGaNの成長

Author (4)： PARK D-C (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KO H-C (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA SHIZ (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA SHIG (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 3A  Page： L294-L296  Publication year： Mar. 01, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： ITO(solid solution)

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (9)：

• 1) I. Akasaki and H. Amano: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 242 (1992) 383.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagamaha, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku and Y. Sugimoto: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L74
• 4) K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L661
• 5) K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, A. Ishida, R. Kuroiwa, H. Tampo and S. Gonda: Proc. 2^nd Int. Conf. Nitride Semiconductors, Tokushima (1997) p. 196.

Terms in the title (7)： RFプラズマ ,  促進 ,  化学蒸着法 ,  酸化インジウムすず ,  ガラス基板 ,  GaN ,  成長