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J-GLOBAL ID：200903070645557909

パターン形成方法

Inventor：
水越 正孝

About 水越 正孝


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 北野 好人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001384297
Publication number (International publication number)：2003186173
Application date： Dec. 18, 2001
Publication date： Jul. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 下層パターンにずれ、回転、収縮、歪み等が生じた場合であっても、下層パターンに位置合わせをして所望の上層パターンを形成しうるパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成された下地パターンの位置を検出し、下地パターンの位置情報に基づいて基板上に形成すべきパターンのパターンデータを補正し、液晶パネルに補正パターンデータに基づくマスクパターンを表示し、この液晶パネルをマスクに用いてリソグラフィーによりパターン形成を行う。これにより、下層パターンにずれ、回転、収縮、歪み等が生じた場合であっても、下層パターンに位置合わせをして所望の上層パターンを形成することができる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された下地パターンの位置を検出する工程と、前記基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記下地パターンの位置情報に基づいて、前記基板上に形成すべきパターンのパターンデータを補正し、補正パターンデータを算出する工程と、前記補正パターンデータに基づいて、液晶パネルにマスクパターンを表示する工程と、前記感光性樹脂膜を、前記液晶パネルをマスクとして露光し、現像することにより、前記感光性樹脂膜をパターニングする工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 501 ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (10)：
2H095BA12 ,  2H095BB27 ,  2H095BC00 ,  2H097AA20 ,  2H097BA10 ,  2H097KA01 ,  2H097KA03 ,  2H097KA26 ,  2H097KA40 ,  2H097LA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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