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J-GLOBAL ID：200903070689961227
多層配線構造の形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小山 有 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997045649
Publication number (International publication number)：1998242140
Application date： Feb. 28, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 平坦化処理に用いる有機SOG膜のSi原子に結合している有機基(例えばCH3基)のアッシング時における分解を抑制する。【解決手段】 下層配線上に直接若しくはヒロック防止膜等の所定の膜を介して有機SOG膜又はポリンラザンを含んでなる塗布液から形成されるSOG膜を形成し、この後、エッチバックを行わずに、該SOG膜上に上層配線を形成し、更にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行ってビアホールを形成し、次いで、酸素ガスから誘導されるイオン又はラジカルを主反応種としたプラズマによるアッシング処理を0.01Torr〜30.0Torrの圧力雰囲気下で行う。
Claim (excerpt)：
下層配線と上層配線とをビアホールを介して電気的に接続してなる多層配線構造の形成方法において、前記下層配線上に直接若しくはヒロック防止膜等の所定の膜を介して有機SOG膜を形成し、この後、エッチバックを行わずに、有機SOG膜上に上層配線を形成し、更にその上に設けたパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行ってビアホールを形成し、次いで、酸素ガスから誘導されるイオン又はラジカルを主反応種としたプラズマによるアッシング処理を0.01Torr〜30.0Torrの圧力雰囲気下で行った後、前記ビアホールに導体を埋設して下層配線と上層配線とを電気的に接続するようにしたことを特徴とする多層配線構造の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
, H01L 21/31
H01L 21/316 G
, H01L 21/90 Q
, H01L 21/95
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