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J-GLOBAL ID：200903070734947966

半導体パワーモジュールおよびその製造方法

Inventor：
内田 真治

About 内田 真治

, 
岡本 健次

About 岡本 健次

, 
米澤 栄一

About 米澤 栄一


Applicant, Patent owner：
富士電機株式会社

About 富士電機株式会社


Agent (1)： 谷 義一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001312641
Publication number (International publication number)：2003124400
Application date： Oct. 10, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 放熱性に優れ、低コストで、かつ、電気絶縁特性が良好な半導体パワーモジュールおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体パワーモジュールにおいて、配線パターンおよび外部端子を構成しているリードフレーム4を、接着樹脂層3を介して絶縁樹脂層2上に固着させる構成とした。また、金属絶縁板、接着樹脂層3、および、予め素子6を実装させたリードフレーム4を積層させ、その状態で加圧加熱しながら樹脂モールドし、樹脂モールド時にリードフレームが絶縁樹脂層2上に接着樹脂層3を介して固着させるようにした。更に、金属絶縁板に予め接着樹脂層3を形成して大面積の金属絶縁板を製造することとし、接着樹脂層3を形成する際の接着シートの打抜工程を不要とした。
Claim (excerpt)：
板状金属のヒートシンクの一方の主面に、電気絶縁性で熱良導性の絶縁樹脂層を備えて構成した金属絶縁板と、該金属絶縁板の前記絶縁樹脂層上に設けられたリードフレームとからなり、前記金属絶縁板と前記リードフレームとが接着樹脂層を介して固着されていることを特徴とする半導体パワーモジュール用回路基板。
IPC (5)：
H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/50 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4)：
H01L 23/28 B ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/50 Y ,  H01L 25/04 C
F-Term (17)：
4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DB02 ,  4M109FA00 ,  4M109GA05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DD13 ,  5F061FA05 ,  5F067AA02 ,  5F067AA03 ,  5F067CA02 ,  5F067CB02 ,  5F067CC02 ,  5F067CC09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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