異方性ドライエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998009096
Publication number (International publication number)：1999214355
Application date： Jan. 20, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及びシリコン膜の全てに対して選択的に異方性ドライエッチングすることができる異方性ドライエッチング方法を提供する。【解決手段】シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコンに対して選択的に異方性エッチングする方法において、基板温度を10°C以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素(CO)との混合ガスを反応ガスとして使用する。

Claim (excerpt)：

シリコン窒化膜をシリコン酸化膜、ポリシリコン膜及びシリコン膜に対して選択的に異方性ドライエッチングする方法において、基板温度を10°C以下とし、フッ素、炭素及び水素を含む化合物気体と一酸化炭素との混合ガスを反応ガスとして使用することを特徴とする異方性ドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-352074 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-222132 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
窒化物エッチングプロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-011548 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド, インテル・コーポレーション

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