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J-GLOBAL ID：200903070934388228

半導体レーザ

Inventor： 堂免 恵
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996073796
Publication number (International publication number)：1997266344
Application date： Mar. 28, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 活性層に窒化ガリウム系材料を用いる半導体レーザに関し、しきい値電流密度を低減することを目的とする。【解決手段】 該活性層の膜厚を3nm以上6nm以下とするように構成する。

Claim (excerpt)：

活性層に窒化ガリウム系材料を用いる半導体レーザにおいて、該活性層の膜厚を3nm以上6nm以下としたことを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190466   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-317845   Applicant：日亜化学工業株式会社
• ミニバンドを有する半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-052135   Applicant：シャープ株式会社