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J-GLOBAL ID：200903070991403608
Ga2O3系結晶の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005136276
Publication number (International publication number)：2006312571
Application date： May. 09, 2005
Publication date： Nov. 16, 2006
Summary：
【課題】 Ga2O3系結晶のへき開性を弱くし、加工性を向上させることができるGa2O3系結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶20の(001)面を基板成長面とし、種結晶20のc軸に平行な方向を成長方向としてEFG法によりβ-Ga2O3単結晶25を製造すると、上記したように、(100)面及び(001)面のへき開性が改善されるので、LED素子製造工程における切削等の加工性が向上し、基板及びLED素子の量産性を高めることができる。また、GaN系LED素子の製造工程において(100)面におけるGaN系半導体の良好な結晶成長性を得ることができる。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
種結晶をc軸方向が引き上げ方向になるようにGa2O3系融液に接触させる第1のステップと、
前記種結晶を前記c軸と平行な方向へ移動させる第2のステップとを有することを特徴とするGa2O3系結晶の成長方法。
IPC (3)：
C30B 29/16
, C30B 15/34
, C30B 15/36
C30B29/16
, C30B15/34
, C30B15/36
4G077AA02
, 4G077BB10
, 4G077CF03
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EG25
, 4G077HA12
, 4G077PJ01
, 4G077PJ02
, 4G077PK01
Cited by applicant (1)
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発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-137912
Applicant：株式会社光波
Cited by examiner (3)
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発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-137912
Applicant：株式会社光波
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半導体層
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-290862
Applicant：株式会社光波
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単結晶の育成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-253626
Applicant：株式会社信光社
Article cited by the Patent：
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