Pat
J-GLOBAL ID:200903046783492577

半導体層

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 平田 忠雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003290862
Publication number (International publication number):2005064153
Application date: Aug. 08, 2003
Publication date: Mar. 10, 2005
Summary:
【課題】 結晶品質の高いGaN系エピタキシャル層を得ることができる半導体層を提供する。【解決手段】 この半導体層は、β-Ga2O3単結晶からなるβ-Ga2O3基板1と、β-Ga2O3基板1の表面に窒化処理を施して形成されたGaN層2と、GaN層2にMOCVD法によりエピタキシャル成長して形成されたGaN成長層3とを備える。GaN層2とGaN成長層3の格子定数が一致し、GaN成長層3はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層3が得られる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
Ga2O3系半導体からなる第1の層と、 前記第1の層の酸素原子の一部あるいは全部を窒素原子に置換することにより得られる第2の層により構成されたことを特徴とする半導体層。
IPC (4):
H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/201
FI (4):
H01L21/20 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L29/201
F-Term (37):
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA52 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特公昭52-36117号公報
Cited by examiner (5)
Show all
Article cited by the Patent:
Return to Previous Page