半導体層

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平田忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003290862
Publication number (International publication number)：2005064153
Application date： Aug. 08, 2003
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】結晶品質の高いGaN系エピタキシャル層を得ることができる半導体層を提供する。【解決手段】この半導体層は、β-Ga2O3単結晶からなるβ-Ga2O3基板1と、β-Ga2O3基板1の表面に窒化処理を施して形成されたGaN層2と、GaN層2にMOCVD法によりエピタキシャル成長して形成されたGaN成長層3とを備える。GaN層2とGaN成長層3の格子定数が一致し、GaN成長層3はGaN層2の高い結晶性を引き継いで成長するため、結晶性の高いGaN成長層3が得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

Ga2O3系半導体からなる第1の層と、前記第1の層の酸素原子の一部あるいは全部を窒素原子に置換することにより得られる第2の層により構成されたことを特徴とする半導体層。

IPC (4)：

H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L29/201

FI (4)：

H01L21/20 , C30B29/38 D , H01L21/205 , H01L29/201

F-Term (37)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 4G077HA12 , 4G077TB05 , 4G077TC12 , 4G077TK08 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030LA14 , 5F041AA40 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F045AA04 , 5F045AA20 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD14 , 5F045AE25 , 5F045AF07 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DA52 , 5F052JA10 , 5F052KA01 , 5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特公昭52-36117号公報

Cited by examiner (5)

III族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-157588 Applicant：昭和電工株式会社
窒化ガリウムの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-220937 Applicant：学校法人東海大学
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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (1 1 1) by annealing

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