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J-GLOBAL ID：200903071024177688

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド、及びメモリ-素子

Inventor： 榊間 博 ,  平本 雅祥 ,  松川 望 ,  足立 秀明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999324037
Publication number (International publication number)：2000340859
Application date： Nov. 15, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来の磁気抵抗効果素子では得られない大きなMR比と高出力の薄膜磁気ヘッドを得る。更にメモリ-素子を可能とする。【解決手段】 磁性層にスピン分極率が高く、抵抗の高い酸化物磁性膜を用い、膜面に垂直に電流を流して大きなMR比を示す磁気抵抗効果素子を得る。更にこれを用いて磁気抵抗効果型ヘッドとメモリ-素子を構成する。

Claim (excerpt)：

非磁性層を介して積層された二つの磁性層の積層膜[磁性層1/非磁性層/磁性層2]を主構成要素とする磁気抵抗効果素子において、前記磁性層の少なくとも一方がMFe2O4(MはFe,Co,Niから選ばれる1種もしくは2種以上の元素)を主成分として構成されることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

FI (5)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/16

F-Term (13)：

5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BB12 ,  5D034CA08 ,  5E049AB04 ,  5E049AB09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗デバイス及び斯種のデバイスを用いる磁気ヘッド
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平7-510707   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-196363   Applicant：三洋電機株式会社
• 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗効果センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-290307   Applicant：日本電気株式会社