半導体膜の成形方法及び半導体基板の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小塚敏紀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997222098
Publication number (International publication number)：1999067758
Application date： Aug. 19, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】結晶欠陥が少なく、膜質が均一で、表面荒れの小さい半導体膜を成形することができる半導体膜の成形方法、及びそのような半導体膜を有する半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】表面に多結晶シリコン膜2を形成し、酸素を主成分とする雰囲気下で多結晶シリコン膜2の表面層に緻密な酸化膜7を生成する工程と、水蒸気を主成分とする雰囲気下で多結晶シリコン膜2の酸化を促進する酸化促進工程と、を有するものである。

Claim (excerpt)：

表面に多結晶シリコン膜を形成した絶縁性基板に半導体膜を成形する方法であって、酸素を主成分とする雰囲気下で前記多結晶シリコン膜の表面層に緻密な酸化膜を生成する工程を有することを特徴とする半導体膜の成形方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/316 S , H01L 21/20 , H01L 29/78 617 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-305610 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331626 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-253825 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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