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J-GLOBAL ID：200903071051000439

窒化物半導体素子、窒化物半導体結晶の作製方法および窒化物半導体基板

Inventor：
碓井 彰

About 碓井 彰

, 
砂川 晴夫

About 砂川 晴夫

, 
松本 良成

About 松本 良成


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000128192
Publication number (International publication number)：2001308464
Application date： Apr. 27, 2000
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：
【要約】【課題】結晶成長下地層として充分に機能する程度の厚みを有する低欠陥密度のAlGaN層を形成すること。【解決手段】サファイア基板11上に、低温バッファー層12を介して第一のAlGaN層13を形成する。さらにこの上に、第一のAlGaN層13よりも低いAl組成の第二のAlGaN層14を形成する。AlGaN層14は、マスク21の開口部からファセット構造を形成させながら成長させる。膜厚は5μm以上とする。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体からなる面内平均格子定数aの第一の単結晶層と、この上に直接、または表面保護層を介して形成された、窒化物半導体からなる面内平均格子定数b(b>a)の層厚5μm以上の第二の単結晶層と、からなる歪み緩和領域を備え、該歪み緩和領域の上部に、素子領域を構成する窒化物半導体層が形成されたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (3)：
H01S 5/323 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205
FI (4)：
H01S 5/323 ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 C ,  H01L 21/205
F-Term (28)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077EF03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DB02 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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