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J-GLOBAL ID：200903072929604810

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

Inventor：
清久 裕之

About 清久 裕之

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998132831
Publication number (International publication number)：1999219910
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【目的】 基板となり得るような結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法を提供すると共に、信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供する。【構成】 異種基板の上に成長された第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層の表面に部分的に形成さた保護膜とからなる下地層を加熱し、その下地層に窒素源のガスと、3族源のガスとをモル比(V/III比)2000以下に調整して成長する。成長した窒化物半導体層は従来のように三角形状とはならずに、基板水平面に対してほぼ垂直な方向で成長するため、結晶欠陥が基板に対してほぼ水平方向に伸びるので、表出する結晶欠陥の少ない窒化物半導体を成長できる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に成長された第1の窒化物半導体層と、その第1の窒化物半導体層の表面に部分的に形成され、表面に窒化物半導体が成長しにくい性質を有する保護膜とからなる下地層を加熱し、その下地層の表面に窒素源のガスと、3族源のガスとを同時に供給して、前記保護膜及び下地層の上に、連続した第2の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体の成長方法において、前記3族源のガスに対する窒素源のガスのモル比(窒素源/3族源)を2000以下に調整することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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