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J-GLOBAL ID：200903071059941267

光電変換装置およびその製造方法

Inventor： 大倉 央 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000181746
Publication number (International publication number)：2001358347
Application date： Jun. 16, 2000
Publication date： Dec. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 内部抵抗や再結合確率を低く、変換効率をより高くする。【解決手段】 電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層16とを少なくとも有する光電変換装置であって、電荷輸送層のいずれかが薄片状結晶から成る半導体層17である。

Claim (excerpt)：

電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電荷輸送層のいずれかが薄片状結晶から成る半導体層であることを特徴とする光電変換装置。

F-Term (1)：

5F051AA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭57-160174
  
• 層状結晶構造酸化物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-076155   Applicant：ソニー株式会社
• 光電変換装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-268725   Applicant：キヤノン株式会社
• 酸化チタンを含む細線の製造方法、該製造方法により製造された細線および構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-310601   Applicant：キヤノン株式会社