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J-GLOBAL ID：200903071119377579

CMP研磨方法及び半導体製造装置

Inventor：
竪山 佳邦

About 竪山 佳邦

, 
平野 智之

About 平野 智之


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999181545
Publication number (International publication number)：2001009702
Application date： Jun. 28, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 界面活性剤の研磨粒子への吸着状態が弱い物理吸着となり、研磨の際に界面活性剤が容易に離脱し、その結果、研磨粒子としての働きが十分得られ、また従来に比べて高い研磨速度が得られ、且つ優れた平坦化特性が同時に得られる半導体基板上の被処理膜をCMP研磨する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板に形成した対するCMP研磨処理を行う研磨剤に負に帯電した研磨粒子を用いるとともに陰イオン性の水溶性高分子界面活性剤を添加する。負に帯電した研磨粒子を用いることにより界面活性剤の研磨粒子への吸着状態が弱い物理吸着(水素結合)となり、研磨の際界面活性剤が容易に研磨粒子から離脱するので、研磨粒子としての働きが十分に得られ従来に比べ高い研磨速度が得られる。また優れた平坦化特性が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体基板に研磨剤を供給しながら、この半導体基板表面上の凹凸部を有する被研磨膜を研磨定盤の研磨布に押圧して前記被研磨膜を平坦化するCMP研磨方法において、前記研磨剤を構成する研磨粒子として表面電位を負に調整し、さらに前記研磨剤に水溶性高分子からなる界面活性剤を添加することを特徴とするCMP研磨方法。
IPC (5)：
B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622
FI (5)：
B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 D
F-Term (10)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AC01 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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