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J-GLOBAL ID：200903071206203420

シリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法

Inventor：
桜田 昌弘

About 桜田 昌弘

, 
飯田 誠

About 飯田 誠

, 
太田 友彦

About 太田 友彦


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998229337
Publication number (International publication number)：2000044388
Application date： Jul. 30, 1998
Publication date： Feb. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にOSFまたはOSFの核が存在し、かつゲッタリング能力を有するCZ法によるシリコン単結晶ウエーハを安定した製造条件下に製造する。【解決手段】 結晶成長時に、結晶中の固液界面近傍の融点から1400°Cの間の温度勾配をG(温度変化量/結晶軸方向長さ)[°C/cm]とし、結晶中心部分の温度勾配Gcと結晶周辺部分の温度勾配Geとの差を△G=(Ge-Gc)で表した時、△Gが0または負となるように、用いる装置の炉内温度を制御し、かつ結晶直径を横軸に、引上げ速度を縦軸として欠陥分布を示した分布図において、OSF領域が帯状逆M字型またはU字型を形成する時、OSF領域の内側ラインの最小値に対応する引上げ速度と、OSF領域の外側ラインの最大値に対応する引上げ速度の範囲内に制御しながら結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法。
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハであって、熱酸化処理をした際に結晶全面あるいは外周部を除いた全面にOSFまたはOSFの核が存在することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。
IPC (2)：
C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (2)：
C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P
F-Term (29)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077EA07 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EG19 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077EJ02 ,  4G077FE04 ,  4G077HA12 ,  4G077PA03 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38 ,  4G077QA71 ,  4G077TK01 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053BB04 ,  5F053BB08 ,  5F053BB13 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH10 ,  5F053PP20 ,  5F053RR20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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