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J-GLOBAL ID:200903071253793406
半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004284831
Publication number (International publication number):2006100562
Application date: Sep. 29, 2004
Publication date: Apr. 13, 2006
Summary:
【課題】低応力性、耐溶剤性、低吸水性、電気特性等に優れた感光性樹脂組成物とそれを用いた高位置精度、サイズ及び高さの均一性などに優れた接続端子を有するウエハーレベルチップサイズパッケージ用半導体装置を提供する。【解決手段】半導体回路が形成されたチップ1と、該チップの半導体回路形成側表面に設けられたデバイス端子2と、該デバイス端子と電気的に結合された外部回路基板接合用端子6とから構成されるウエハーレベルチップサイズの半導体装置において、外部回路基板接合用端子が絶縁体からなる突起部7と該絶縁体表面に設けられた金属層9からなり、該絶縁体5がエポキシ基を有する環状オレフィン樹脂(A)と光酸発生剤(B)とを含む樹脂組成物よりなることを特徴とする半導体装置。【選択図】図1
Claim (excerpt):
半導体回路が形成されたチップと、該チップの半導体回路形成側表面に設けられたデバイス端子と、該デバイス端子と電気的に結合された外部回路基板接合用端子とから構成されるウエハーレベルチップサイズの半導体装置において、外部回路基板接合用端子が絶縁体からなる突起部と該絶縁体表面に設けられた金属層からなり、該絶縁体がエポキシ基を有する環状オレフィン樹脂(A)と光酸発生剤(B)とを含む樹脂組成物よりなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/12
, G03F 7/004
, G03F 7/038
FI (3):
H01L23/12 501P
, G03F7/004 503Z
, G03F7/038 503
F-Term (8):
2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AD01
, 2H025BD23
, 2H025BE00
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-114053
Applicant:住友ベークライト株式会社, 住友金属鉱山株式会社
Cited by examiner (4)
-
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-114053
Applicant:住友ベークライト株式会社, 住友金属鉱山株式会社
-
ポジ型感光性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-354581
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
特許第3588498号
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-001042
Applicant:日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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