有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002104920
Publication number (International publication number)：2003303970
Application date： Apr. 08, 2002
Publication date： Oct. 24, 2003
Summary：

【要約】【課題】ゲート電圧の低減が行え、リーク電流を低減しスイッチングのON/OFF比を向上させることができると同時に、低コストで簡便なプロセスによりフラットパネルディスプレイ用有機薄膜トランジスタが得られる製造方法を提供することにある。【解決手段】支持体上に付設されたソース、ドレイン電極、該電極に接して形成された有機半導体層、該有機半導体層に接して形成されたゲート絶縁層及びゲート絶縁層上に形成されたゲート電極からなる有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層が金属酸化物或いは窒化物からなり、該ゲート絶縁層と有機半導体層の間に有機薄膜層が形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

Claim (excerpt)：

支持体上に付設されたソース、ドレイン電極、該電極に接して形成された有機半導体層、該有機半導体層に接して形成されたゲート絶縁層及びゲート絶縁層上に形成されたゲート電極からなる有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層が金属酸化物或いは窒化物からなり、該ゲート絶縁層と有機半導体層の間に有機薄膜層が形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 51/00

FI (3)：

H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 617 T , H01L 29/28

F-Term (27)：

5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110BB10 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

導電性有機材料配向膜の製造方法及び導電性有機材料配向膜を用いた有機電子素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-241078 Applicant：松下電器産業株式会社
コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-055997 Applicant：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ・デバイスの構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-076201 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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