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J-GLOBAL ID:200903071484979847

高純度シリカゾル及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡辺 徳廣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999056673
Publication number (International publication number):2000247625
Application date: Mar. 04, 1999
Publication date: Sep. 12, 2000
Summary:
【要約】【課題】 珪酸アルカリから作られる不純物を含まない高純度シリカゾルの製造方法を提供する。【解決手段】 下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下であるシリカゲルを水酸化第4アンモニウム水溶液に溶解する第1工程、該水酸化第4アンモニウムをイオン交換により除去して活性珪酸液を作成する第2工程、該活性珪酸液をアルカリ触媒の存在下で加熱してシリカを3〜300nmの粒子径に粒子成長させる第3工程を有することを特徴とする下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下である高純度シリカゾルの製造方法。Al、Ca、B、Ba、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Sr、Ti、Zn、Zr、UおよびTh。
Claim (excerpt):
下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下である高純度シリカゲルを水酸化第四アンモニウム水溶液に溶解した後、イオン交換法または解膠法によって製造した、下記不純物の含有量がいずれの元素も全て5ppm以下である高純度シリカゾル。Al、Ca、B、Ba、Co、Cr、Cu、Fe、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Sr、Ti、Zn、Zr、UおよびTh。
IPC (2):
C01B 33/148 ,  B01J 47/00
FI (2):
C01B 33/148 ,  B01J 47/00 Z
F-Term (26):
4G072AA28 ,  4G072BB05 ,  4G072CC01 ,  4G072DD06 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH19 ,  4G072HH21 ,  4G072JJ13 ,  4G072JJ33 ,  4G072KK03 ,  4G072LL06 ,  4G072LL07 ,  4G072MM21 ,  4G072MM22 ,  4G072MM23 ,  4G072PP01 ,  4G072PP02 ,  4G072PP07 ,  4G072RR12 ,  4G072TT01 ,  4G072TT19 ,  4G072TT20 ,  4G072TT21 ,  4G072UU30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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