ポジ型レジスト材料

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：中本宏 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303265
Publication number (International publication number)：1994130669
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】高感度、高解像性、プロセス適用性に優れた高エネルギー線露光用ポジ型レジスト材料を提供する。【構成】ポリヒドロキシスチレン(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該(B)がクレゾールフタレイン、フェノールフタレイン、チモールフタレインのOH基の少なくとも一部がt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された化合物であり、該(C)が、一般式(化1):(R)n AM(式中Rは(置換)芳香族基、AはS又はI、Mはp-トルエンスルホネート又はトリフルオロメタンスルホネート基、nは2又は3)のオニウム塩で、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1であるレジスト材料。

Claim (excerpt)：

ポリヒドロキシスチレン(A)、溶解阻害剤(B)、及びオニウム塩(C)の3成分を含む、アルカリ水溶液で現像可能な高エネルギー線感応ポジ型レジストにおいて、該溶解阻害剤(B)がクレゾールフタレイン、フェノールフタレインあるいはチモールフタレインのヒドロキシ基の一部あるいはすべてがt-ブトキシカルボニルオキシ基で置換された化合物の中から選択された化合物であり、該オニウム塩(C)が下記式(化1):【化1】(R)n AM(式中Rは同じでも異なってもよく芳香族基あるいは置換芳香族基を示し、Aはスルホニウムあるいはヨードニウムを示す。Mはp-トルエンスルホネート基あるいはトリフルオロメタンスルホネート基を示し、nは2又は3を示す)で表されるオニウム塩であり、重量分率が、0.07≦B≦0.40、0.005≦C≦0.15、0.55≦A、A+B+C=1、であることを特徴とするレジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/029 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

感光性組成物およびそれを用いたパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-344686 Applicant：株式会社東芝
特開平4-195138
酸分解性化合物及びそれを含有するポジ型感放射線性レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-150945 Applicant：日本化薬株式会社

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