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J-GLOBAL ID：200903071529174403

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor：
小池 美智男

About 小池 美智男


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997191680
Publication number (International publication number)：1998084084
Application date： Jul. 16, 1997
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 バリアメタルを有する金属配線のパターン形成後に該金属配線の一部を除去しバリアメタルを露呈させることで高精度の抵抗素子を得て、且つ配線の高信頼性も確保する。【解決手段】 半導体中への拡散を防止するバリアメタルおよびAl合金をスパッタ法を用いて成膜する工程、Al合金をフォト、エッチング法して金属配線を形成する工程、抵抗素子予定部をフォトリソグラフィー法を用いてパターン形成する工程、エッチング法を用いて金属配線の一部に対し、Al合金を除去し半導体中への拡散を防止する為のバリアメタルを露呈させる工程を経て抵抗素子を形成する。【効果】バリアメタルを有する金属配線のパターン形成後に該金属配線の一部を除去しバリアメタルを露呈させることにより、高精度のシート抵抗が得られ、同時に配線の高信頼性を確保できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上方に設置され、下部全面にバリアメタル層が設置されている金属配線と、前記金属配線下部の前記バリアメタル層と同一の層からなる抵抗素子と、を有する半導体装置。
IPC (4)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (3)：
H01L 27/04 P ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-306970   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開昭63-144557
  • 特開昭60-120550
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