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J-GLOBAL ID：200903071565301900

薄膜トランジスタおよびそれを備えた液晶表示装置

Inventor：
蔡 基成

About 蔡 基成

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吉田 修

About 吉田 修

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新井 和之

About 新井 和之

, 
柳 洪錫

About 柳 洪錫


Applicant, Patent owner：
株式会社フロンテック

About 株式会社フロンテック


Agent (1)： 志賀 正武 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998372182
Publication number (International publication number)：2000196098
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明の目的は、オン電流を大きくさせるとともに、オフ電流を抑制して液晶表示装置に応用した場合の開口率の低下を防止し、コントラストを高めることができる薄膜トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、ゲート電極3上にゲート絶縁膜4を介してアイランド状の半導体能動膜5が設けられ、前記ゲート電極3の両側から延びて前記半導体能動膜上にソース電極7とドレイン電極8とが間隔をあけて対峙して設けられ、対峙する前記ソース電極7と前記ドレイン電極8との間の部分に対応する半導体能動膜5の部分がチャネル部15とされてなり、前記ゲート電極3に乗り上げた部分の前記ソース電極7の幅および前記ゲート電極3に乗り上げた部分の前記ドレイン電極8の幅よりも、該幅方向の前記チャネル部15の幅が大きくされてなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
ゲート電極上にゲート絶縁膜を介してアイランド状の半導体能動膜が設けられ、前記ゲート電極の両側から延びて前記半導体能動膜上にソース電極とドレイン電極とが間隔をあけて対峙して設けられ、対峙する前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の部分に対応する半導体能動膜の部分がチャネル部とされてなり、前記ゲート電極に乗り上げた部分の前記ソース電極の幅および前記ゲート電極に乗り上げた部分の前記ドレイン電極の幅よりも、該幅方向の前記チャネル部の幅が大きくされてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500
FI (3)：
H01L 29/78 618 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 T
F-Term (24)：
2H092GA13 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092NA07 ,  2H092NA22 ,  2H092NA26 ,  5F110AA06 ,  5F110AA11 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG23 ,  5F110GG29 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK25 ,  5F110NN02 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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