貼り合わせ基板の製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009095765
Publication number (International publication number)：2009272619
Application date： Apr. 10, 2009
Publication date： Nov. 19, 2009
Summary：

【課題】基板全面、特に、貼り合わせ終端部近傍においても良好な薄膜を有する貼り合わせ基板を製造する方法を提供する。【解決手段】少なくとも、半導体基板である第1の基板の表面から水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を注入してイオン注入層を形成する工程と、前記第1の基板のイオン注入した面と第2の基板の貼り合わせる面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程と、前記第1の基板のイオン注入した面と前記第2の基板の貼り合わせる面とを、湿度が30%以下、及び/又は、水分量が6g/m3以下の雰囲気下において貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第1の基板を前記イオン注入層にて離間させ、前記第1の基板を薄膜化する剥離工程とにより、前記第2の基板の上に薄膜を有する貼り合わせ基板を製造する貼り合わせ基板の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の基板と第2の基板を貼り合わせ、前記第1の基板を薄膜化し、前記第2の基板の上に薄膜を有する貼り合わせ基板を製造する方法であって、少なくとも、半導体基板である前記第1の基板の表面から水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を注入してイオン注入層を形成する工程と、前記第1の基板のイオン注入した面と前記第2の基板の貼り合わせる面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程と、前記第1の基板のイオン注入した面と前記第2の基板の貼り合わせる面とを、湿度が30%以下、及び/又は、水分量が6g/m3以下の雰囲気下において貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記第1の基板を前記イオン注入層にて離間させ、前記第1の基板を薄膜化する剥離工程とにより、前記第2の基板の上に薄膜を有する貼り合わせ基板を製造することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (2)：

H01L27/12 B , H01L21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

SOI基板の製造方法及びこの方法により製造されたSOI基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-330265 Applicant：株式会社SUMCO
SOIウエーハの製造方法及びSOIウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-374884 Applicant：信越化学工業株式会社, 信越半導体株式会社
半導体基板貼付装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-021815 Applicant：新日本製鐵株式会社

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