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J-GLOBAL ID：200903071642601814
多層配線構造の半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993146430
Publication number (International publication number)：1995014836
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、接続プラグと金属配線間における密着性に優れ、接触抵抗が高い多層配線構造の半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明に係る多層配線構造の半導体装置は、基板10上に形成された下層金属配線30と、下層金属配線30を含む面上に形成された絶縁膜40と、絶縁膜40の所定の位置をエッチング除去して下層金属配線30を露出させることにより穿設された開孔50と、開孔50直下の下層金属配線30を、さらにエッチングして形成された開孔50の径よりも広い径を有する凹部51と、露出した下層金属配線30に形成された凹部51から金属を成長させることにより凹部51内及び開孔50内に形成されたヴィアプラグ52と備えていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された下層金属配線と、前記下層金属配線を含む面上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜の所定の位置をエッチング除去して前記下層金属配線を露出させることにより穿設された開孔と、前記開孔直下の前記下層金属配線を、さらにエッチングして形成された前記開孔の径よりも広い径を有する凹部と、前記露出した下層金属配線に形成された前記凹部から金属を成長させることにより前記凹部内及び前記開孔内に形成されたヴィアプラグと備えていることを特徴とする多層配線構造の半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/3205
, H01L 21/205
, H01L 21/316
, H01L 21/768
Cited by examiner (8)
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