ガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002201897
Publication number (International publication number)：2004043874
Application date： Jul. 10, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】超平坦で高精度に膜厚が制御され、特性の経時変化の極めて少ない酸化物薄膜が形成可能なガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法を提供する。【解決手段】金属、金属酸化物もしくは半導体酸化物を蒸着源から蒸発させて固体基板上に酸化物薄膜を形成する際に、酸化物薄膜形成と同時または間歇的に基板にガスクラスターイオンを照射するガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法において、ガスクラスターイオンビームの加速電圧を3kV以上10kV以下の範囲とし、成膜速度を0.1Å/sec以上500Å/sec以下とし、かつ電流密度を0.5×成膜速度(Å/sec)μA/cm2以上とする。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

金属、金属酸化物もしくは半導体酸化物を蒸着源から蒸発させて固体基板上に酸化物薄膜を形成する際に、酸化物薄膜形成と同時または間歇的に基板に酸素ガスもしくは酸素化合物ガスのうちの少なくともいずれかのガスクラスターイオンを照射するガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法において、ガスクラスターイオンビームの加速電圧を3kV以上10kV以下の範囲とし、成膜速度を0.1Å/sec以上500Å/sec以下とし、かつ電流密度を0.5×成膜速度(Å/sec)μA/cm2以上とすることを特徴とするガスクラスターイオン援用酸化物薄膜形成方法。

IPC (3)：

C23C14/22 , C23C14/32 , G02B5/28

FI (3)：

C23C14/22 F , C23C14/32 F , G02B5/28

F-Term (10)：

2H048GA04 , 2H048GA51 , 2H048GA60 , 4K029AA09 , 4K029BA46 , 4K029BA48 , 4K029BC07 , 4K029CA09 , 4K029DB05 , 4K029DB21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

透明導電性膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-320431 Applicant：経済産業省産業技術総合研究所長
波長選択素子およびこれを使用した光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-135200 Applicant：日本航空電子工業株式会社
ガスクラスターの形成方法と薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-064861 Applicant：科学技術振興事業団, 三洋電機株式会社

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