Pat
J-GLOBAL ID：200903071828735152

無電解めっきの前処理方法、無電解めっき方法およびめっき基板

Inventor：
三森 健一

About 三森 健一


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (7)： 中尾 俊輔 ,  伊藤 高英 ,  畑中 芳実 ,  大倉 奈緒子 ,  玉利 房枝 ,  鈴木 健之 ,  磯田 志郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007033272
Publication number (International publication number)：2007308791
Application date： Feb. 14, 2007
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：
【課題】液晶ポリマー基材の被処理面に粗面化処理を施すことなく、容易な工程によって無電解めっき方法により良好な密着力のめっき膜を形成することができ、このめっき膜により、ファインピッチの配線パターンの回路電極を形成する。【解決手段】フィラーを含まない液晶ポリマー基材に紫外線を照射する紫外線処理工程と、紫外線処理工程の後に、液晶ポリマー基材を硫酸過水に接触させる溶液処理工程と、溶液処理工程の後に、液晶ポリマー基材にアルカリ処理を行うアルカリ処理工程と、溶液処理工程の後に、液晶ポリマー基材に触媒を付与する触媒処理工程と、触媒処理工程の後に、液晶ポリマー基材をめっき液に接触させるめっき処理工程と、めっき処理工程の後に、液晶ポリマー基材を加圧しながら加熱する熱処理工程とを有する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
液晶ポリマー基材またはポリイミド基材に対して無電解めっき方法によるめっき膜を形成する際の無電解めっきの前処理方法であって、 前記液晶ポリマー基材または前記ポリイミド基材を酸と酸化剤との混合溶液に接触させる溶液処理工程を有することを特徴とする無電解めっきの前処理方法。
IPC (3)：
C23C 18/20 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/40
FI (4)：
C23C18/20 ,  C23C18/16 A ,  C23C18/20 Z ,  C23C18/40
F-Term (13)：
4K022AA15 ,  4K022AA43 ,  4K022BA08 ,  4K022CA06 ,  4K022CA12 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022CA18 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4K022DB06 ,  4K022DB07 ,  4K022EA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM