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J-GLOBAL ID:200903014257714523

伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 葛和 清司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005370767
Publication number (International publication number):2006188761
Application date: Dec. 22, 2005
Publication date: Jul. 20, 2006
Summary:
【課題】伝導性金属めっきポリイミド基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の伝導性金属めっきポリイミド基板の製造方法は、ポリイミド膜の表面をKOH、エチレングリコール及びKOHの混合溶液、または無水クロム酸及び硫酸の混合溶液によりエッチングする段階と、前記エッチングされたポリイミド膜の表面をカップリング剤によりカップリングする段階と、前記ポリイミド膜に触媒を吸着させる段階と、前記触媒が吸着されたポリイミド膜に電流を付加することなく、第1の伝導性金属膜を形成する第1のめっき段階と、前記第1のめっきされたポリイミド膜に電流を付加して第2の伝導性金属膜を形成する第2のめっき段階と、を含む。
Claim (excerpt):
伝導性金属めっきポリイミド基板において、 表面のイミド環がエッチングされて開裂されているポリイミド膜と、 前記ポリイミド膜に無電解めっきにより形成されている第1の伝導性金属薄膜と、 前記第1の伝導性金属薄膜上に電解めっきにより形成されている第2の伝導性金属薄膜とを含む伝導性金属薄膜を有する、前記伝導性金属めっきポリイミド基板。
IPC (7):
C23C 18/20 ,  C25D 5/56 ,  H05K 1/03 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/00 ,  B32B 15/08 ,  B32B 15/088
FI (9):
C23C18/20 Z ,  C25D5/56 B ,  C25D5/56 A ,  H05K1/03 610N ,  H05K1/03 670A ,  H05K1/09 C ,  H05K3/00 R ,  B32B15/08 J ,  B32B15/08 R
F-Term (66):
4E351AA04 ,  4E351AA16 ,  4E351BB01 ,  4E351BB33 ,  4E351BB38 ,  4E351CC06 ,  4E351DD04 ,  4E351DD06 ,  4E351DD19 ,  4E351GG14 ,  4F100AB01B ,  4F100AB01C ,  4F100AB16B ,  4F100AB17B ,  4F100AB17C ,  4F100AB25B ,  4F100AB25C ,  4F100AK49A ,  4F100AL06A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH71B ,  4F100EH71C ,  4F100EJ15A ,  4F100EJ64A ,  4F100GB43 ,  4F100JB01 ,  4F100JG01B ,  4F100JG01C ,  4F100JJ03 ,  4F100JK04 ,  4F100JK06 ,  4F100JK17 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4K022AA15 ,  4K022AA42 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022CA02 ,  4K022CA06 ,  4K022CA15 ,  4K022CA16 ,  4K022CA18 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB06 ,  4K022DB26 ,  4K022EA04 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AB17 ,  4K024BA14 ,  4K024BB11 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024DA10 ,  4K024GA01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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