半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井桁貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022910
Publication number (International publication number)：1997219562
Application date： Feb. 09, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】共振器の下側に高反射膜として半導体多層膜を成長することが困難な材料に対して,この高反射膜をなくした構造で発振可能な面発光レーザの提供。【解決手段】 1)垂直共振器面型半導体発光素子であって,共振器の一方の端面は半導体層の表面または界面であり, 他方の端面には前記一方の端面より高反射率の材料からなる光反射膜を有する半導体発光素子,2)垂直共振器面型半導体発光素子であって,基板上に形成された半導体層からなる共振器の下部端面が該半導体層と該基板との界面であり,該共振器の上部端面には誘電体多層膜からなる光反射膜が形成されている半導体発光素子,3)垂直共振器面型半導体発光素子であって,基板上に形成された半導体層からなる共振器の下部端面が該半導体層と該基板との界面であり,該共振器の上部端面及び該基板の裏面には誘電体多層膜からなる光反射膜が形成されている半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

垂直共振器面型半導体発光素子であって,共振器の一方の端面は半導体層の表面または界面であり, 他方の端面には前記一方の端面より高反射率の材料からなる光反射膜を有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-131530 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-354571 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
特開昭56-098888

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