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J-GLOBAL ID:200903071981461851
高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001184123
Publication number (International publication number):2002344042
Application date: May. 15, 2001
Publication date: Nov. 29, 2002
Summary:
【要約】【課題】本発明は,省電力磁気素子に用いられる,室温においてMR比の値が3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し,且つ104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜を提供することを目的とする.【解決手段】 一般式(Fel-a-bCoaNib)100-w-x-y-zLwMxOyFzで表わされ,LはRu,Rh,Pd,Os,Ir,Ptのうちから,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素からなるグラニュラー膜で,室温において3%以上の磁気抵抗効果を有し,且つ104μΩcm以上の高い電気比抵抗を有する磁気抵抗膜に関する.
Claim (excerpt):
一般式(Fe<SB>l-a-b</SB>Co<SB>a</SB>Ni<SB>b</SB>)<SB>100-w-x-y-z</SB>L<SB>w</SB>M<SB>x</SB>O<SB>y</SB>F<SB>z</SB>で表わされ,LはRu,Rh,Pd,Os,Ir,Ptのうちから,MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Mo,Ba,Hf,Ta,W,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり,かつ組成比a,b,w,x,y,zは原子比率で,0≦a≦10<b≦0.50≦w≦5010≦x≦400≦y≦500≦z≦5030≦x+y+z≦70である組成からなり,室温で3%以上の磁気抵抗効果を示し,高電気抵抗を有する磁気抵抗膜.
IPC (6):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01L 27/105
, H01L 43/10
FI (7):
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 M
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01L 43/10
, H01L 27/10 447
, G01R 33/06 R
F-Term (12):
2G017AA10
, 2G017AD54
, 5D034BA02
, 5E049AA01
, 5E049AA09
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5F083FZ10
, 5F083GA30
, 5F083JA60
, 5F083PR33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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磁気抵抗膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-299027
Applicant:財団法人電気磁気材料研究所
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高電気抵抗を有する磁気抵抗膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-281232
Applicant:財団法人電気磁気材料研究所
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高電気比抵抗磁気抵抗膜
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-307441
Applicant:財団法人電気磁気材料研究所
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磁気抵抗効果材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-065670
Applicant:三洋電機株式会社
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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“強磁性体の物理(下)”, 20000425, 第11版, p.368-374
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