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J-GLOBAL ID：200903071991529080

トランジスタの製造方法

Inventor： 水村 章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995295907
Publication number (International publication number)：1997116147
Application date： Oct. 20, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 素子の性能を確保しつつ高集積化に対応することができるトランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極17の側面にサイドウォール(絶縁膜側壁)23,24を形成した後、全面にポリシリコン層41を厚く形成する。化学的機械研磨(CMP)法によりゲート電極17の上面が露出するまでポリシリコン層41を研磨し、ゲート電極17を挟むソース領域とドレイン領域とを分離絶縁する。次に、ソース・ドレイン領域のN- 型拡散層21,22上のポリシリコン層41中にN型の不純物イオンを注入し、さらに熱処理により、ポリシリコン層41中の不純物イオンをN- 型拡散層21,22中に拡散させ、サイドウォール23,24と自己整合的にN+ 拡散層27,28を形成する。素子分離膜12上のポリシリコン層41はリソグラフィ工程を用いて選択的にエッチング除去し、各素子形成領域間を分離絶縁する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に選択的に素子分離膜を形成する工程と、前記素子分離膜によって相互に分離絶縁された各素子形成領域内にトランジスタ素子を形成した後、全面に導電層を形成する工程と、素子形成領域内の分離絶縁しようとする部分の下地が露出するまで前記導電層を化学的機械研磨法によって研磨する工程とを含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-034424   Applicant：シャープ株式会社
• LDD構造のMIS型半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-284504   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-170823   Applicant：日本電気株式会社