強誘電体キャパシタデバイスおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997184131
Publication number (International publication number)：1998173142
Application date： Jul. 09, 1997
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】強誘電体キャパシタデバイスおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】強誘電体キャパシタデバイスの製造方法であって、(a)基板表面上に金属酸化物層を形成して接着層を提供する工程と、(b)該接着層上に金属層を形成する工程と、(c)工程(b)で形成された該金属層の上部に該金属層の金属酸化物を形成する工程と、(d)工程(c)で形成された該上部酸化物層上に強誘電体材料からなる層を形成する工程と、(e)該強誘電体層上に金属酸化物を形成する工程と、(f)工程(e)で形成された該金属酸化物層上に金属層を形成する工程と、を包含する製造方法。

Claim (excerpt)：

強誘電体キャパシタデバイスの製造方法であって、(a)基板表面上に金属酸化物層を形成して接着層を提供する工程と、(b)該接着層上に金属層を形成する工程と、(c)工程(b)で形成された該金属層の上部に該金属層の金属酸化物を形成する工程と、(d)工程(c)で形成された該上部酸化物層上に強誘電体材料からなる層を形成する工程と、(e)該強誘電体層上に金属酸化物を形成する工程と、(f)工程(e)で形成された該金属酸化物層上に金属層を形成する工程と、を包含する製造方法。

IPC (9)：

H01L 27/10 451 , H01G 7/06 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5)：

H01L 27/10 451 , H01G 7/06 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

強誘電性素子のための多層電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-086509 Applicant：シャープ株式会社
強誘電体キャパシタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-253838 Applicant：三星電子株式会社
強誘電体容量素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-235330 Applicant：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション

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