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J-GLOBAL ID:200903072065653270

プラズマ生成電極、プラズマ処理装置、および、プラズマ処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005233335
Publication number (International publication number):2007048661
Application date: Aug. 11, 2005
Publication date: Feb. 22, 2007
Summary:
【課題】 大きな処理速度でプラズマの局所的不均一を発生させることなく均一な処理を可能とする、プラズマ生成電極、プラズマ処理装置、および、プラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 プラズマ生成電極装置の誘電体14に設けられる窪み140Aは、プラズマ放電の開始および維持電圧を小さくするための予備放電空間部P1と、プラズマ拡大空間部P2と、プラズマ拡大空間部P2により生成されたプラズマの幅拡大を制限するプラズマ幅拡大制限空間部P3とを備えている。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
一対の電極の主たる対向面間には誘電体が配置され、該対向面間の端部近傍領域において、前記誘電体の窪みによって規定される空間部においてプラズマを生成するプラズマ生成電極であって、 前記空間部を規定する前記誘電体の窪みは、 一対の前記電極の主たる対向面間に位置し、プラズマ放電の開始および維持電圧を小さくするための予備放電空間部を規定する第1対向壁面部と、 前記第1対向壁面部に連続して設けられ、対向間隔が第1対向壁面部の対向間隔よりも広く設けられたプラズマ拡大空間部を規定する第2対向壁面部と、によって構成されるプラズマ生成電極。
IPC (2):
H05H 1/24 ,  H01L 21/306
FI (2):
H05H1/24 ,  H01L21/302 101E
F-Term (13):
5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004DA01 ,  5F004DA22 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (5)
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