Pat
J-GLOBAL ID：200903072177252359

半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法

Inventor：
水嶋 一樹

About 水嶋 一樹

, 
山口 健志

About 山口 健志

, 
塩野 一郎

About 塩野 一郎


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアルシリコン株式会社

About 三菱マテリアルシリコン株式会社

, 
三菱マテリアル株式会社

About 三菱マテリアル株式会社


Agent (1)： 志賀 正武 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001206386
Publication number (International publication number)：2003022970
Application date： Jul. 06, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：
【要約】【課題】 貫通転位密度が低くかつ表面ラフネスも小さい半導体基板と電界効果型トランジスタ並びにSiGe層の形成方法及びこれを用いた歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体基板は、Si基板上に、Ge組成比が表面に向けて漸次増加する複数のSiGeの傾斜組成層を積層したSiGeバッファ層を備え、これらの傾斜組成層各々は、隣接する2つの傾斜組成層のうち上側の傾斜組成層の下面側のGe組成比は、下側の傾斜組成層の上面側のGe組成比より小であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
Si基板上に、Ge組成比が表面に向けて漸次増加するSiGeの傾斜組成層を複数層積層状態としたSiGeバッファ層を備え、これらの傾斜組成層各々は、隣接する2つの傾斜組成層のうち上側の傾斜組成層の下面側のGe組成比は、下側の傾斜組成層の上面側のGe組成比より小であることを特徴とする半導体基板。
IPC (6)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/812
FI (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/80 H
F-Term (30)：
5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045HA22 ,  5F052GC01 ,  5F052GC03 ,  5F052JA01 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05 ,  5F102FA00 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK02 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102HC01 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140BA05 ,  5F140BC12 ,  5F140BC19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BK13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM