傾斜GeSi層と平坦化を用いたゲルマニウム・オン・シリコンの貫通転位の制御

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999505004
Publication number (International publication number)：2000513507
Application date： Jun. 23, 1998
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：

【要約】半導体基板(302)と、この基板上の少なくとも1つの第1結晶性エピタキシャル層(304)であって平坦化された表面を持つ第1層と、その第1層上の少なくとも1つの第2結晶性エピタキシャル層(306)と、を備える半導体構造。本発明の別の実施態様では、半導体基板、及びその基板上に成長したGeSi(306,308)傾斜領域を備える半導体構造が提供され、その傾斜領域には、熱処理時に組み込まれた引っ張り歪みを相殺するような圧縮歪みが組み込まれる。本発明の更に別の実施態様では、半導体基板と、この基板上に成長した傾斜領域(304)を有する第1層と、を備える半導体構造が提供され、前記傾斜領域には熱処理の間に組み込まれる引っ張り歪みを相殺すべく圧縮歪みが組み込まれ、前記第1層は平坦化された面を有し、前記第1層上に第2層(306,308)が設けられる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この基板上の少なくとも1つの第1結晶性エピタキシャル層であって、平坦化された面を持つ第1結晶性エピタキシャル層と、該少なくとも一つの第1層の上の第2結晶性エピタキシャル層と、を備える半導体構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

エピタキシャルウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-031578 Applicant：昭和電工株式会社
化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-050026 Applicant：富士通株式会社
半導体デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-122818 Applicant：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー

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Cited by examiner (9)

エピタキシャルウェーハの製造方法
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化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-050026 Applicant：富士通株式会社
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