半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹村壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997160696
Publication number (International publication number)：1998335742
Application date： Jun. 04, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】量子井戸層を薄くすることにより利得を増大させ、発振波長が650nmでありながらしきい値低下、発光効率の改善、高温動作時の電流低減などの温度特性の良いMQW活性領域を有する半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 GaAs基板1にぼぼ格子整合するInGaAIP系活性領域3がInGaPを量子井戸層11とする多重量子井戸構造(MQW)になっており、電流注入による発振波長が670nm以下の場合に、InGaPの量子井戸層11の厚さ(Lz)を8nmより小さくしてGaAs基板1より大きい格子定数を持つように格子不整合を作り、さらに量子井戸層11に圧縮歪を加える。量子井戸層11を薄くして圧縮歪を入れることにより利得を増大させ、発振波長が650nmのレーザのしきい値低下、効率の改善、高温動作時の電流低減などの温度特性の改善がなされる。

Claim (excerpt)：

第1導電型GaAs基板と、前記GaAs基板の第1の主面上に形成された少なくとも1層からなる第1導電型In0.5 (Ga1-x A1x )0.5 Pクラッド層と、前記第1導電型クラッド層上に形成され、活性領域を構成する少なくとも一層からなる第1のIn0.5 (Ga1-y A1y )0.5 Pガイド層と、前記第1のガイド層上に形成され、前記活性領域を構成する複数層の量子井戸層と、前記量子井戸層間に形成され、前記活性領域を構成するIn0.5 (Ga1-y A1y )0.5 Pバリア層と、前記量子井戸層上に形成され、前記活性領域を構成する少なくとも一層からなる第2のIn0.5 (Ga1-y A1y )0.5 Pガイド層と、前記第2のガイド層上に形成された少なくとも一層からなる第2導電型In0.5 (Ga1-x A1x )0.5 Pクラッド層とを備え、前記量子井戸層は、厚さが8nm未満で圧縮歪が入っており、前記第1導電型及び第2導電型クラッド層のA1組成比は、前記第1及び第2のガイド層のA1組成比より大きい(x>y)ことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-320021 Applicant：三洋電機株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236839 Applicant：三洋電機株式会社
半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-232832 Applicant：株式会社日立製作所

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