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J-GLOBAL ID：200903072247172846

薄膜の製造方法および薄膜

Inventor： 齋藤 隆雄 ,  中村 幸則 ,  近藤 好正 ,  大竹 尚登
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (2)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003295768
Publication number (International publication number)：2004270022
Application date： Aug. 20, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】100Torr以上の比較的高圧の雰囲気下において、炭素原子を含む原料ガスを用いて放電プラズマを生成させて薄膜を形成するのに際して、良好な品質の薄膜が得られるようにする。【解決手段】対向電極4、5の少なくとも一方の上に基材6を設置する。炭素源を含む原料ガスAを含む雰囲気下で、100〜1600Torrの圧力下において対向電極4、5間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材6上に薄膜7を生成させる。パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecである。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で100〜1600Torrの圧力下において前記対向電極間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材上に薄膜を生成させるのに際して、前記パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecであることを特徴とする、薄膜の製造方法。

IPC (3)：

C23C16/27 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205

FI (3)：

C23C16/27 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205

F-Term (22)：

4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030LA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045EH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168682   Applicant：積水化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 回転電極を用いた高速成膜方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-201722   Applicant：三洋電機株式会社, 森勇藏
• ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-168682   Applicant：積水化学工業株式会社
• プラズマCVD装置及び薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-029235   Applicant：アネルバ株式会社
• 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-206531   Applicant：積水化学工業株式会社