ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997168682
Publication number (International publication number)：1999012735
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】大気圧近傍の圧力の下で、ガス雰囲気を問わず、均一な放電プラズマを発生させて、ダイヤモンド状炭素薄膜を基材表面に高速、且つ、低温で製造する方法を提供する。【解決手段】大気圧近傍の圧力下で、対向電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、炭素並びに酸素及び/又は水素を含有するガス雰囲気下で、当該対向電極間にパルス化された電界を印加することにより放電プラズマを発生させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

大気圧近傍の圧力下で、対向電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、炭素並びに酸素及び/又は水素を含有するガス雰囲気下で、当該対向電極間にパルス化された電界を印加することにより放電プラズマを発生させることを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。

IPC (2)：

C23C 16/26 , C23C 16/50

FI (2)：

C23C 16/26 , C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

ダイヤモンド薄膜の気相合成法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-168238 Applicant：岩谷産業株式会社, イワタニプランテック株式会社
特開平3-054196
ダイヤモンドの合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-178392 Applicant：株式会社日本製鋼所

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