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J-GLOBAL ID：200903068263184091

酸に不安定な保護基を有するフェノール樹脂

Inventor： ラインハルト・シユルツ ,  カール-ローレンツ・メルテスドルフ ,  ハンス-トーマス・シヤハト ,  ノルベルト・ミユンツエル ,  ハインツ・ホルツヴアルト ,  パスクアーレ・アルフレド・フアルチーニヨ
Applicant, Patent owner： オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
Agent (1)： 高木 千嘉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996006982
Publication number (International publication number)：1996253528
Application date： Jan. 19, 1996
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 高い熱安定性を有し、高い加工安定性および流れ抵抗を有するレジスト組成物のバインダーとして適しているフェノール樹脂。【解決手段】 フェノール樹脂は、フェノールのヒドロキシル基の10〜90%が、式I〔式中、R1およびR2は、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキル、または-(CH2)n-アリール、またはR1およびR2はそれらの基が結合している酸素および炭素原子と、環員としてさらにヘテロ原子またはヘテロ基を含むことのできる5員〜8員環を形成し、R3は、水素、C1〜C6アルキル、C3〜C6シクロアルキルであるか、または-(CH2)n-アリールであるか、またはR2およびR3はこれらの基が結合している炭素原子と、環員としてさらにヘテロ基、例えば-O-、-S-、-SO2-、を含むことのできる〕の保護基によって置換されているが、Mw/Mnは1.03〜1.80の範囲のものである。

Claim (excerpt)：

フェノール性ヒドロキシル基の10〜90%が、式I【化1】〔式中、R1およびR2は、それぞれ互いに独立してC1〜C6アルキル、未置換または一つもしくはそれ以上のC1〜C4アルキル基によって置換されたC3〜C6シクロアルキルであるか、または-(CH2)n-アリールであるか、またはR1およびR2はそれらの基が結合している酸素および炭素原子と一緒に、環員としてさらにヘテロ原子またはヘテロ基、例えば-O-、-S-、-SO2-または-NR8-(R8は、C1〜C6アルキル、アリールまたはC6〜C16アラルキルである)を含むことのできる5員〜8員環を形成し、R3は、水素、C1〜C6アルキル、未置換または一つもしくはそれ以上のC1〜C4アルキル基によって置換されたC3〜C6シクロアルキルであるか、または-(CH2)n-アリールであるか、またはR2およびR3はこれらの基が結合している炭素原子と一緒に、環員としてさらにヘテロ原子またはヘテロ基、例えば-O-、-S-、-SO2-または-NR8-(R8は、C1〜C6アルキル、アリールまたはC6〜C16アラルキルである)を含むことのできる5員〜8員環を形成し、nは0、1、2または3であり、そしてアリールは、一つまたはそれ以上のC1〜C4アルキル、C1〜C4アルコキシ、ニトロまたはシアノ基またはハロゲン原子によって置換されたナフチルまたはフェニルである〕の保護基によって置換されているが、但し重量平均分子量対数平均分子量の比率Mw/Mnは1.03〜1.80の範囲である、フェノール樹脂。

IPC (3)：

C08F 8/00 MFZ ,  G03F 7/039 501 ,  H05K 3/06

FI (3)：

C08F 8/00 MFZ ,  G03F 7/039 501 ,  H05K 3/06 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

• 新規なレジスト材料及びパタ-ン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-173830   Applicant：和光純薬工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-349570   Applicant：日本合成ゴム株式会社
• 特開平2-161436
  
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-266776   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開平3-282550
  
• ジフェノール酸第三級ブチルエステル誘導体及びそれを含有するポジ型レジスト材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-244004   Applicant：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社
• 特にフォトレジストのためのマレイミドコポリマー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-335601   Applicant：チバ-ガイギーアクチエンゲゼルシャフト, オーシージーマイクロエレクトロニックマテリアルズアクチエンゲゼルシヤフト
• 微細パターン形成材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-246324   Applicant：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 放射線感光材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-276597   Applicant：富士通株式会社
• パターン形成材料およびパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-110471   Applicant：富士通株式会社
• α,β-不飽和ニトリルを有する脂環式多環族とメタクリレート誘導体との共重合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-173129   Applicant：富士通株式会社
• ポジ型放射線レジストとレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-099967   Applicant：富士通株式会社
• レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-156818   Applicant：富士通株式会社
• tert-ブトキシカルボニル基で部分エステル化されたポリ(3-ヒドロキシスチレン)及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-225172   Applicant：信越化学工業株式会社
• 特開平4-350658
  
• 特開平4-195138
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Characteristics of a Monodisperse PHS-Based Positive RESIST(MDPR) in KrF Excimer Laser Lithography