Pat

J-GLOBAL ID：200903072384245923

半導体集積回路及びデータ処理システム

Inventor： 河原 尊之 ,  佐藤 弘 ,  野副 敦史 ,  吉田 敬一 ,  野田 敏史 ,  久保埜 昌次 ,  小谷 博昭 ,  木村 勝高
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 玉村 静世
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258215
Publication number (International publication number)：1998106276
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 不揮発性メモリセルに対する書き込み動作を高速化する【解決手段】 フラッシュメモリは、第1のしきい値電圧を持つ前記不揮発性メモリセルのしきい値電圧が第2のしきい値電圧に変化されるまで不揮発性メモリセルにパルス状電圧を与える。前記パルス状電圧の印加毎に変化される不揮発性メモリセルのしきい値電圧の変化量が相対的に大きくされる第1の書込みモード(粗い書込み)と相対的に小さくされる第2の書込みモード(高精度書込み)とを有する。メモリセルのしきい値電圧を変化させるのに必要なパルスの数は、粗い書込みモードの方が少ない。このため、粗い書込みモードを用いた場合のベリファイ回数の方が少なく、これによって全体としての書込み動作が高速化される。

Claim (excerpt)：

電気的消去及び書込み可能な不揮発性メモリセルを複数個備え、第1のしきい値電圧を持つ前記不揮発性メモリセルのしきい値電圧が第2のしきい値電圧に変化されるまで不揮発性メモリセルにパルス状電圧を与えるための制御手段を含む半導体集積回路であって、前記制御手段は、前記パルス状電圧の印加毎に変化される不揮発性メモリセルのしきい値電圧の変化量が相対的に大きくされる第1の動作モードと相対的に小さくされる第2の動作モードとを有するものであることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (5)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 632 C ,  G11C 17/00 641

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• フラッシュ電気的消去可能プログラマブル読出し専用メモリのリフレッシュ方法、装置及び同メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315592   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 不揮発性半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-160076   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-178319   Applicant：ソニー株式会社
• 記憶システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-098628   Applicant：株式会社東芝