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J-GLOBAL ID:200903072426930117

光断層画像化方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 柳田 征史 ,  佐久間 剛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005288658
Publication number (International publication number):2007101250
Application date: Sep. 30, 2005
Publication date: Apr. 19, 2007
Summary:
【課題】光軸方向、横方向双方について高分解能化が可能で、しかも高速で画像データを収集できる光断層画像化方法を得る。【解決手段】光源111から射出された低コヒーレント光Lを測定光L1と参照光L2とに分割し、測定光L1が測定対象Sに照射されて戻って来る反射光L3と参照光L2とを合波し、合波された反射光L3と参照光L2との干渉光L4を干渉光検出手段140により検出し、この検出された干渉光L4からSD-OCT計測により断層画像を取得する方法において、参照光L2の光路長さを段階的に変化させて測定光L2の測定対象Sに対する合焦範囲を変え、この合焦範囲が変わる毎に反射光強度を示すデータを得、それらのデータの中から、測定光L1が合焦範囲にある深さ位置に関するデータを抽出し、該抽出されたデータに基づいて断層画像を取得する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
光源から射出された低コヒーレント光を測定光と参照光とに分割し、 前記測定光をレンズ系により集光して測定対象に照射し、該測定対象からの反射光と前記参照光とを合波し、 合波された前記反射光と前記参照光との干渉光を検出し、 この検出された干渉光の各周波数成分に分解したチャンネルドスペクトルをフーリエ解析することにより、測定対象の複数の深さ位置における反射光の強度を検出し、 これらの各深さ位置における前記反射光の強度に基づいて測定対象の断層画像を取得する光断層画像化方法において、 前記参照光の光路長さを段階的に変化させることにより、前記レンズ系により集光された測定光の測定対象に対する合焦範囲内に光路長を合わせ、 この合焦範囲の位置が変わる毎に前記複数の深さ位置における反射光の強度を示すデータを得、 それらの反射光強度を示すデータの中から、前記測定光が合焦範囲にある深さ位置に関するデータを抽出し、 これらの抽出されたデータに基づいて断層画像を取得することを特徴とする光断層画像化方法。
IPC (2):
G01N 21/17 ,  G01B 11/24
FI (3):
G01N21/17 620 ,  G01N21/17 625 ,  G01B11/24 D
F-Term (46):
2F065AA04 ,  2F065AA52 ,  2F065AA53 ,  2F065BB05 ,  2F065CC16 ,  2F065DD06 ,  2F065FF00 ,  2F065FF04 ,  2F065FF10 ,  2F065FF41 ,  2F065FF51 ,  2F065GG07 ,  2F065GG08 ,  2F065GG23 ,  2F065GG24 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065LL00 ,  2F065LL02 ,  2F065LL42 ,  2F065LL62 ,  2F065LL67 ,  2F065NN06 ,  2F065QQ16 ,  2F065QQ23 ,  2F065SS02 ,  2F065SS13 ,  2G059AA05 ,  2G059BB12 ,  2G059EE02 ,  2G059EE09 ,  2G059EE11 ,  2G059FF02 ,  2G059GG01 ,  2G059GG02 ,  2G059GG08 ,  2G059JJ05 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ15 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK04 ,  2G059LL01 ,  2G059MM01 ,  2G059MM10 ,  2G059PP04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 光断層イメージング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-319850   Applicant:オリンパス光学工業株式会社
  • 光イメージング装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-339787   Applicant:オリンパス光学工業株式会社
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent:
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