磁気抵抗トンネル接合素子およびMRAMへのその適用

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：鎌田耕一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008535037
Publication number (International publication number)：2009512204
Application date： Oct. 13, 2006
Publication date： Mar. 19, 2009
Summary：

【課題】磁気型の個別のメモリセルに組み合わせてトランジスタ、ダイオードまたはトンネルダイオードを実装することの欠点を回避する。【解決手段】本発明の磁気素子は、磁気抵抗トンネル接合100を備えている。磁気抵抗トンネル接合100は、磁化の方向が固定された参照磁気層120と、磁化の方向が可変である記憶磁気層110と、本質的に半導体または電気的に絶縁性であるとともに参照磁気層120を記憶磁気層110から分離する、トンネル障壁としての機能を果たす中間層130とを含む。印加電圧に応じて非対称の電流応答を生成するように、中間層130のポテンシャルプロファイルが当該層130の厚みに渡って非対称である。この磁気素子は、磁気ランダムアクセスメモリに適用しうる。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

磁化の方向が固定された参照磁気層(120)と、磁化の方向が可変である記憶磁気層(110)と、本質的に半導体または電気的に絶縁性であるとともに前記参照磁気層(120)を前記記憶磁気層(110)から分離する、トンネル障壁としての機能を果たす中間層(130)と、を含む磁気抵抗トンネル接合(100)を備え、印加電圧に応じて非対称の電流応答を生成するように、前記中間層(130)のポテンシャルプロファイルが当該層(130)の厚みに渡って非対称である、磁気素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82

FI (3)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z

F-Term (25)：

4M119AA02 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119CC06 , 4M119DD03 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119JJ03 , 5F092AA12 , 5F092AA15 , 5F092AB07 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

国際公開第03/043017号パンフレット
米国特許出願公開第2005/0083760号明細書
米国特許出願公開第2005/0002228号明細書

Cited by examiner (5)

磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-138898 Applicant：株式会社東芝
磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-070650 Applicant：ソニー株式会社
強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-053974 Applicant：富士通株式会社

Show all

Return to Previous Page