炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、及び炭化珪素単結晶基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：成瀬勝夫 , 中村智廣 , 鳥野正司 , 佐々木一也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006255673
Publication number (International publication number)：2008074663
Application date： Sep. 21, 2006
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：

【課題】成長中に結晶中の不純濃度を変化させる場合でも、結晶性に優れる炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶成長中に雰囲気ガス中の不純物濃度を変化させる際に、成長温度が一定になるように温度制御する。雰囲気ガス中の不純物としては窒素を用い、その濃度を変化させることによって、結晶中の窒素濃度を変化させる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長中に結晶中の不純物濃度を漸増あるいは漸減させる際に、成長温度が一定になるように温度制御することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (1)：

C30B 29/36

FI (1)：

C30B29/36 A

F-Term (17)：

4G077AA02 , 4G077AB09 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077DA18 , 4G077DB12 , 4G077EA06 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EG18 , 4G077FJ06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077SA01 , 4G077SA08 , 4G077SA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-109194 Applicant：新日本製鐵株式会社
SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-127471 Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社
半導体膜の成長方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-060210 Applicant：松下電器産業株式会社

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